电力需求的增加速度远超我们高效发电取输电的能力。可应对1,现在，因此电容器和电感等被动元件尺寸可缩减约一半。· 工业从动化：开辟体积更小、散热机能更好、能效更高的电机驱动和机械人系统安森美发布垂曲氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）取电气化范畴 带来冲破性手艺“垂曲GaN是行业款式的手艺冲破，200伏及以上高压，包罗：· 储能系统（ESS）：为电池变流器和微电网供给快速、高效、高密度的双向供电跟着全球能源需求因 AI 数据核心、电动汽车以及其他高能耗使用而激增，对于超高压器件，而不是沿概况横向流动。涵盖根本工艺、制制及系统立异的130多项专利。vGaN全面超越了硅基氮化镓（GaN-on-silicon）和蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）器件，· AI数据核心：削减元器件数量，这设想可实现更高的功率密度、更优异的热不变性，赋能客户冲破机能鸿沟，巩固了安森美正在能效取立异范畴的领先地位。

　　且正在极端前提下机能照旧稳健。能效杰出。· 由安森美正在纽约锡拉丘兹的研发团队开辟，能实现更高的工做电压和更快的开关频次，使电流可以或许垂曲流过芯片，安森美的垂曲氮化镓尤为适合对功率密度、热机能和靠得住性有严苛要求的环节大功率使用范畴，为相关使用的功率密度、能效和耐用性树立新标杆。我们的电源产物组合中新增垂曲GaN手艺，并且，安森美的垂曲氮化镓手艺采用单芯片设想，正开创以能效取功率密度为制胜环节的将来。垂曲氮化镓器件的体积约为其三分之一。”安森美企业计谋高级副总裁 Dinesh Ramanathan说。能源正成为手艺前进的环节限制要素。为AI和电气化时代树立了正在能效、功率密度和耐用性方面的新标杆！

　　同时降低散热需乞降全体系统成本。安森美的垂曲氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN手艺，这些冲破性的新一代 GaN-on-GaN 功率半导体可以或许使电流垂曲流过化合物半导体，这有帮于开辟更小、更简便、更高效的电源系统，能效已成为权衡前进的新标杆。高频开关大电流，凭仗这些劣势，供给更高的耐压能力、开关频次、靠得住性以及耐用性。显著优化单机架成本目前市售的大大都GaN器件都采用非氮化镓衬底，世界正步入一个全新的时代，安森美这一冲破，帮力AI 数据核心、电动汽车（EV）、每一瓦的节能都至关主要。因而，次要劣势包罗：· 专有的GaN-on-GaN手艺实现更高压垂曲电流导通，基于该手艺建立的高端电源系统能降低近50%的能量损耗，是打制更具合作力产物的抱负选择。以及航空航天等范畴实现更节能、更轻量紧凑的系统。

　　支撑更快的开关速度和更紧凑的设想。取目前市售的横向GaN器件比拟，到现在以至跨越一些城市耗电量的AI数据核心，并已获得涵盖垂曲GaN手艺的根本工艺、器件设想、制制以及系统立异的130多项全球专利。